Bodové poruchy reálných krystalů mohou být tyto:
1. vakance - porucha vzniklá neobsazením rovnovážné polohy částice v krystalové mřížce (obr. 45). Příčinou může být např. tepelný pohyb, který způsobí, že se některým částicím podaří uniknout ze svého místa a toto místo zůstane neobsazeno. Další možností vzniku je ozáření krystalu elektrony, ionty nebo neutrony, které svým dopadem mohou dodat částici v krystalové mřížce dostatečnou energii na její uvolnění.
2. intersticiální poloha částice - částice je v místě mimo pravidelný bod krystalové mřížky (obr. 46). Souvisí s vakancí - částice uvolněná ze své rovnovážné polohy se může přesunout buď na povrch krystalu nebo zůstane v intersticiální poloze.
3. příměsi (nečistoty) - jsou cizí částice, které se vyskytují v krystalu daného chemického složení. Tato částice se může nacházet v intersticiální poloze nebo nahrazuje vlastní částici mřížky (substituce), což je znázorněno na obr. 47. Příkladem intersticiální polohy je např. vstřebání (absorpce) atomů vodíku, kyslíku, uhlíku a dusíku v kovech (přítomnost atomů uhlíku v mřížce železa má vliv na vlastnosti slitin, …). Příkladem substituce jsou pak atomy boru a fosforu vpravené do čistého krystalu křemíku nebo germania, což ovlivňuje elektrickou vodivost látky. Další možností je výroba umělých monokrystalů (rubín pro lasery, …).
Obr. 45 | Obr. 46 | Obr. 47 |