Encyklopedie fyziky |
|
je součástka, která využívá energii dopadajícího elektromagnetického záření (a tedy i světla) ke zmenšení svého odporu. Schematická značka fotorezistoru je na obr. 87. Vyrábí se nejčastěji ze CdS, CdSe, … Energie viditelného světla má energii větší než je práce nutná k odtržení elektronu z atomu. Po dopadu fotonu viditelného světla tedy vzniká pár elektron - díra a tím se zvětšuje vlastní vodivost polovodiče. S růstem vodivosti klesá odpor fotorezistoru. Tento jev se nazývá vnitřní fotoefekt.
Obr. 87 |
Fotorezistory citlivé na infračervené záření jsou náročnější na výrobu, protože energie infračerveného záření je menší než energie viditelného světla.
Praktické použití: fotografování Země v infračerveném oboru spektra (infračervené záření proniká atmosférou), dálkové ovládání přístrojů, optické kabely (kterými lze přenášet až 30000 hovorů najednou), …
e fotorezistor | [348.9 kB] | [Uložit] |